將開關、電阻器和MOSFET並聯連接的目的是分擔功率，並創建能夠承受更大功率的元件。可以將它們並聯連接，以增加輸出電流的容量。相對於其他舊款設計，因為並聯連接不受熱波動性的影響，因而通常顯得更簡單、更穩定。實際上，碳化矽(SiC) MOSFET也可以與同類元件並聯使用。幾個單元之間透過簡單並聯連接後，在正常條件下工作都不會有問題，但在特殊情況(與溫度、電流和工作頻率相關)下，元件的工作條件可能會變得極為嚴苛。因此，必須採取一些預防措施，創建故障預防電路，以便能夠充分利用功率元件並聯所帶來的優勢。
需要記住的幾件事
在實踐中，當功率元件具有相同電氣特性，以及相同靜態和動態行為時，其並聯連接是可能的。但現實中，因為各元件之間總是存在一些差異，故要求元件之間完全相同是不切實際的。
將開關、電阻器和MOSFET並聯連接的目的是分擔功率，並創建能夠承受更大功率的元件。可以將它們並聯連接，以增加輸出電流的容量。相對於其他舊款設計，因為並聯連接不受熱波動性的影響，因而通常顯得更簡單、更穩定。實際上，碳化矽(SiC) MOSFET也可以與同類元件並聯使用。幾個單元之間透過簡單並聯連接後，在正常條件下工作都不會有問題，但在特殊情況(與溫度、電流和工作頻率相關)下，元件的工作條件可能會變得極為嚴苛。因此，必須採取一些預防措施，創建故障預防電路，以便能夠充分利用功率元件並聯所帶來的優勢。
需要記住的幾件事
在實踐中，當功率元件具有相同電氣特性，以及相同靜態和動態行為時，其並聯連接是可能的。但現實中，因為各元件之間總是存在一些差異，故要求元件之間完全相同是不切實際的。【免費下載】IP设计领域的变革先锋：设计阶段的验证工作在少數應用中，MOSFET才會工作在靜態狀態下，並充當「慢速」電子開關。而在大多數應用中，涉及的都是高頻率連續開關操作。即便是同一型號的多個MOSFET之間的電氣特性差異很小(甚至難以察覺)，也會引發暫態電壓尖峰，以及電流分佈的總體失衡。這個問題可能會導致高功耗，引起電路發熱嚴重，最終導致電子元件損壞。
因此，設計師必須研究電路，以便在所有工作條件下，使傳輸電流在相同性質的所有功率元件上都是平衡和均勻分佈的。在開關切換時，應避免電流集中在某些電子元件上。事實上，這種非理想並聯可能會導致有害的自激振盪，以及電子開關操作失衡。
一般來說，非理想並聯所產生的問題和原因包括如下：
．設備的參數彼此不一致
．導通電阻(RDS(on))失配
．閘源電壓(VGS)失配
．閘極驅動器失配
．電源電路中的失配
導通電阻
RDS(On)是MOSFET的基本參數之一。該參數影響許多工作指標，如元件損耗、最大傳輸電流、系統效率和傳導損耗。當MOSFET關斷時，沒有電流流動，此時漏-源電壓較高。反之，當MOSFET處於啟動導通狀態時，其漏-源電壓會下降到幾百毫伏特(mV)。
SiC MOSFET的RDS(On)參數對溫度非常敏感，因此在設計具有並聯元件的電路時，必須非常謹慎(見圖1中的圖表)。其內部構造決定了負溫度係數和正溫度係數，因此可能引發電流失衡。圖1說明，隨著SiC MOSFET的結溫不同，通道的電阻會發生變化。許多示例中的元件簡單並聯時都會產生問題，因為一個元件可能比另一個元件承受了更大的電流，因此，必需使所有MOSFET的熱量耗散均勻。
*轉載台灣EETIMES
